삼성전자가 8월 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 메모리·스토리지 학회 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 차세대 3차원 메모리 구조 ‘zHBM’과 ‘zNAND-O’의 목업을 공개했다. AI 가속기 위에 HBM(고대역폭메모리)을 수직으로 쌓아 올리는 구조로, 아직 시제품 단계이며 실제 양산 시점은 밝혀지지 않았다.
기존 HBM은 AI 가속기 옆에 나란히 배치되는 방식이었다. zHBM은 이 배치를 가속기 위쪽으로 옮겨 신호가 오가는 거리를 줄이는 구조다. 삼성전자는 이 목업을 업계 최초로 선보였다고 밝혔다. 같은 자리에서는 400단 이상을 쌓은 10세대 V낸드 ‘V10 BV-NAND’도 업계 최초로 공개했다고 전했다.
가속기 위에 메모리를 세우는 구조
삼성전자가 제시한 목표치에 따르면 zHBM은 기존 HBM5 대비 전성비(전력 대비 성능)가 최대 3배, 열저항은 절반 이하로 낮아진다. 여기에 적용되는 인터페이스 시스템의 성능도 HBM5 대비 최대 8배에 이른다고 회사 측은 설명했다. 다만 이 수치를 산출한 테스트 조건과 측정 방법, 제3자 검증 여부는 이번 발표에서 공개되지 않았다.
V낸드 적층 기술에 실리콘관통전극(TSV)을 결합한 zNAND-O는 4단 또는 8단으로 쌓는 구조로 소개됐다. 삼성전자는 이 제품의 구체적인 성능 수치는 제시하지 않았다. 세 제품 모두 상용화·양산 시점은 이번 발표에 담기지 않았다.
| 제품 | 구조 | 성능 목표치(삼성전자 발표) | 적층 단수 | TSV | 상용화 시점 |
|---|---|---|---|---|---|
| zHBM | AI 가속기 상단 수직 적층 | HBM5 대비 전성비 최대 3배·열저항 절반 이하, 인터페이스 성능 최대 8배 | 미공개 | 미공개 | 미공개 |
| zNAND-O | V낸드 적층+TSV 결합 | 미공개 | 4~8단 | 적용 | 미공개 |
| V10 BV-NAND | 10세대 V낸드 | 미공개 | 400단 이상 | 미공개 | 미공개 |
MIT 테크놀로지 리뷰 코리아는 zHBM과 zNAND-O를 두고 “아직 목업 단계로, 제시된 성능이 실제 양산 제품에서 구현되기까지는 시간이 필요하다”고 짚었다. 삼성전자가 공개한 수치와 실제 양산품 사이에는 아직 검증되지 않은 거리가 남아 있다는 뜻이다.
FMS 2026은 6일 사흘 일정을 마쳤다. 삼성전자는 이번에 공개한 목업들의 구체적인 양산 계획이나 시점은 별도로 밝히지 않았다.
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