삼성전자 HBM4부터 베이스 다이 제조 공정이 메모리 라인에서 파운드리 로직 공정으로 넘어왔다. HBM3E까지 메모리 공정에서 만들던 베이스 다이를 4나노 파운드리 공정으로 옮기면서, HBM4 출하량이 늘어날수록 삼성 파운드리 4나노 라인의 가동률이 그만큼 직접 연동되는 구조가 됐다.
삼성전자는 2026년 2월 19일 업계 최초로 HBM4를 양산 출하했다고 발표했다. 코어 다이에는 1c D램(10나노급 6세대), 베이스 다이에는 파운드리 4나노 공정을 적용했다. 안정 동작 속도는 11.7Gbps, 대역폭은 최대 3.3TB/s로 HBM3E 대비 약 2.7배이고 전력효율은 약 40% 개선됐다. 삼성전자는 지난 7월 30일 2분기 실적발표에서 “올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것”이라며 “하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것”이라고 전망했다.
4나노 캐파의 절반이 베이스 다이…업계 추산 월 1만5,000장
업계에서는 지난달 기준 삼성 파운드리 4나노에 할당된 생산능력을 월 3만 장 내외로 추산한다. 이 중 HBM4 베이스 다이향 웨이퍼 투입은 월 1만5,000장 안팎으로 관측되는데, 월 3만 장 가운데 1만5,000장이면 캐파의 절반 수준이다. 단위는 웨이퍼 장/월이고 기준 시점은 2026년 8월이다. 다만 분모인 총량 자체가 ‘내외’로 추산된 값이어서 이 비율도 정밀한 수치는 아니다.
같은 4나노 라인에서 캐파를 나누는 건 삼성만이 아니다. 이 라인은 평택 2캠퍼스(P2)·3캠퍼스(P3)의 S5·S6로, 4~7나노급을 함께 돌리는 공용 라인이다. 퀄컴과 그록(Groq)의 LPU ‘그록-3’, 구글 협상 물량이 자사 HBM4 베이스 다이 물량과 같은 자리를 두고 경쟁하는 것으로 업계는 보고 있다. 이런 사정을 반영해 삼성전자는 4나노 단가를 미국·중국 고객 10~15%, 대만 고객 5~10% 올렸다. HBM4 베이스 다이에 캐파를 배정하는 일은 파운드리 사업의 외부 수주 확대와 상충할 수 있는 자원 배분이다. 앞서 다룬 HBM 시장 점유율 변화도 같은 시기에 나왔다.
향후 계획은 다음과 같다.
| 시점 | 내용 |
|---|---|
| 2026년 하반기 | HBM4E 샘플 출하 계획 |
| 2027년 | 커스텀 HBM 샘플링 계획 |
| 2028년 | 평택 2단지 5라인(P5) HBM 생산 거점 가동 계획 |
삼성전자의 다음 확인 지점은 두 번이다. 10월 초 3분기 잠정실적에서 HBM4 매출이 실제로 3배 가까이 늘었는지 1차로 드러나고, 10월 말 3분기 확정실적과 컨퍼런스콜에서 하반기 HBM4 매출 비중이 60%를 넘었는지 확인된다.
